SMD LVPECL/LVDS/HCSL晶体振荡器 (LV7050)
所属分类:
• 外形尺寸7.0*5.0*1.45mm • 体积小、可靠性高 • 低相位抖动:0.3 pS RMS@12kHz-20MHz • 工作温度范围宽: -40°~+125℃
宽温度范围
超小型化
超低抖动
高稳定性
超高频
产品详细信息
特征
• 外形尺寸7.0*5.0*1.45mm
• 体积小、可靠性高
• 低相位抖动:0.3 pS RMS@12kHz-20MHz 
• 工作温度范围宽:40~+125℃
 
典型应用
• 可广泛应用于工业通讯、导航、雷达等领域
 
尺寸

电性能参数
| 技术指标 | LVPECL | LVDS | Unit | |||||||
| 3.3V | 2.5V | 3.3V | 2.5V | |||||||
| Min | Max | Min | Max | Min | Max | Min | Max | |||
| 工作电压(VDD) | VDD-5% | VDD+5% | VDD-5% | VDD+5% | VDD-5% | VDD+5% | VDD-5% | VDD+5% | V | |
| 输出频率 | 10 | 320 | 10 | 320 | 10 | 320 | 10 | 320 | MHz | |
| 标称频率 | 77.76,106.25,125,155.52,156.25,187.5,212.5,312.5 | |||||||||
| 输入电流 | 10MHz ≤ Fo<160MHz | - | 75 | - | 75 | - | 50 | - | 50 | mA | 
| 160MHz ≤ Fo<250MHz | - | 100 | - | 100 | - | 50 | - | 50 | ||
| 250MHz ≤ Fo<320MHz | - | 100 | - | 100 | - | 65 | - | 65 | ||
| 输出电平 | 启用(高电平或悬空) | 2.275 | - | 1.475 | - | - | 1.6 | - | 1.6 | V | 
| 禁用(低电平或接地) | - | 1.68 | - | 0.88 | 0.9 | - | 0.9 | - | ||
| 过渡时间: 上升/下降时间 | - | 1 | - | 1 | - | 1 | - | 1 | nSec | |
| 启动时间 | - | 10 | - | 10 | - | 10 | - | 10 | mSec | |
| 三态 | 启用 (高电压或浮动) | 2.31 | - | 1.75 | - | 2.31 | - | 1.75 | - | V | 
| 禁用 (低电压或GND) | - | 0.99 | - | 0.75 | - | 0.99 | - | 0.75 | ||
| 老化率 (@ 25 °C,第一年) | - | ± 3 | - | ± 3 | - | ± 3 | - | ± 3 | ppm | |
| 存储温度 | -55 | 125 | -55 | 125 | -55 | 125 | -55 | 125 | ℃ | |
| 相位噪声@156.25 MHz | 100Hz | -100 | -100 | -100 | -100 | dBc/Hz | ||||
| 1 kHz | -130 | -130 | -130 | -130 | ||||||
| 10 kHz | -145 | -145 | -145 | -145 | ||||||
| 相位抖动均方根 (Intergrated 12 KHz ~ 20MHz) | Fo<80MHz | - | 1 | - | 1 | - | 1 | - | 1 | pSec | 
| 80MHz ≤ Fo<125MHz | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | ||
| 125MHz ≤ Fo<170MHz | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | ||
| 170MHz ≤ Fo<200MHz | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | ||
| 200MHz ≤ Fo | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | ||
| 技术指标 | HCSL | Unit | ||||
| 3.3V | 2.5V | |||||
| Min | Max | Min | Max | |||
| 工作电压 (VDD) | VDD5% | VDD+ 5% | VDD-5% | VDD+ 5% | V | |
| 输出频率 | 25 | 175 | 25 | 175 | MHz | |
| 标称频率 | 100 | |||||
| 输入电流 | 25MHz ≤ Fo<175MHz | - | 50 | - | 50 | mA | 
| 输出电平 | 输出高电平 | 0.6 | - | 0.58 | - | V | 
| 输出低电平 | - | 0.15 | - | 0.15 | ||
| 转换时间: 上升/下降时间+ | - | 0.5 | - | 0.5 | nSec | |
| 启动时间 | - | 10 | - | 10 | mSec | |
| 三态 | 启用 (高电平或者悬空) | 0.7VDD | - | 0.7VDD | - | V | 
| 禁用 (低电压或接地) | - | 0.3VDD | - | 0.3VDD | ||
| 老化率 (@ 25 °C,第一年) | - | ± 3 | - | ± 3 | ppm | |
| 存储温度 | - | 125 | -55 | 125 | ℃ | |
| 相位抖动均方根 (Intergrated 12 KHz ~ 20MHz) | 25MHz ≤ Fo<175MHz | - | 0.5 | - | 0.5 | pSec | 
标准频率是晶体设计的频率,并不表示存货状况。
+转接时间是在电源电压20%-80%变化范围内测量的
频率稳定度vs.温度范围
| 温度 (℃) / ppm | ± 25 | ± 50 | 
| -10 ~ +60 | ⚪ | ⚪ | 
| -20 ~ +75 | ⚪ | ⚪ | 
| -40 ~ +85 | ▲ | ⚪ | 
| -40 ~ +125 | ❌ | ⚪ | 
⚪: 可提供 ▲: 有条件下提供❌: 不可提供
* 包括25℃,工作温度范围,输入电压变化,负载变化,老化率《第一年),冲击和胞动条件下校准。
注意: 并非所有选项组合都可提供。其他规格可根据要求提供。
规格如有更改,恕不另行通知。
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